RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3870
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link