RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
71
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2307
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link