RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2307
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link