RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2296
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link