RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2613
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link