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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2613
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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