RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
61
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
61
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1813
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link