RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
61
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
61
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
8.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1813
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link