RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
61
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
61
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
8.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1813
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link