RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2241
2925
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB Сравнения RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link