RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
53
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
53
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2333
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link