RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
81
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
81
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1651
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link