RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2394
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link