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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
51
En -34% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2394
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R948G2806U2S 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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