RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
60
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
60
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2359
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2133C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link