RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2404
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link