RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
85
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
85
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1772
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link