RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
85
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
85
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1772
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link