RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
51
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
40
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2100
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link