RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
51
Por volta de -28% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
40
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2100
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link