RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
92
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2705
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link