Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    33 left arrow 42
    Por volta de -27% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.1 left arrow 15.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.0 left arrow 12.4
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 33
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.7 left arrow 16.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.4 left arrow 13.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2352 left arrow 2987
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações