Porównanie pamięci RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

33 42

Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.1 15.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.0 12.4

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2352 2987

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns