RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2352
2987
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link