Comparaison de la RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Note globale

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

33 42

Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.1 15.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.0 12.4

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2352 2987

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns