RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
71
Autour de -294% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
18
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3601
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link