RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
71
Wokół strony -294% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3601
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link