RAM-Vergleich Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

33 42

Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.1 15.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.0 12.4

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2352 2987

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns