RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
44
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
44
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3146
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link