RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
44
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3146
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link