RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
44
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3146
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link