RAM-Vergleich Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Gesamtnote

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

33 44

Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.6 16.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.2 12.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2910 3146

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns