Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

总分
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 44
    左右 25% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.6 left arrow 16.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.2 left arrow 12.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    33 left arrow 44
  • 读取速度,GB/s
    17.6 left arrow 16.6
  • 写入速度,GB/s
    12.0 left arrow 14.2
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2910 left arrow 3146
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