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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
比較する
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
44
周辺 25% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
16.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
44
読み出し速度、GB/s
17.6
16.6
書き込み速度、GB/秒
12.0
14.2
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
3146
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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