RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link