RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2381
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link