RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3171
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link