RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
29
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
23
Velocità di lettura, GB/s
10.5
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
3171
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link