RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3171
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link