RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
51
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
42
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2551
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link