RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
51
Por volta de -21% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
42
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2551
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link