RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
51
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
45
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2943
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link