RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
51
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
45
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2943
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link