RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3757
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link