RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3496
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link