RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1884
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link