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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
1884
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
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