RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2920
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link