RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
63
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
63
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2061
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link