RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
3731
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link