RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
3516
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link