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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
15.8
17.6
写入速度,GB/s
11.8
15.3
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
3516
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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